三星申请半导体封装及其制造方法专利，该专利技术能实现半导体封装的接合结构

金融界消息，星申据国家知识产权局公告，请半三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装及其制造方法“，导体公开号CN117594552A，封装方法申请日期为2023年8月。及其接合结构

专利摘要显示，制造专利装一种半导体封装包括：第一半导体芯片，该专包括第一半导体器件；第二半导体芯片，利技包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的术能实现接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、半导第一接合绝缘层、体封与第一接合焊盘接触的星申第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的请半第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的导体第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的封装方法上表面的边缘上延伸的水平延伸部。

本文源自金融界